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存儲器

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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量
16Gb（512M x 32）
存儲器接口
-
時鐘頻率
1600MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
電壓 - 電源
1.1V
工作溫度
-30°C ~ 85°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
200-WFBGA
供應商器件封裝
200-WFBGA（11x14.5）
商品其它信息
優勢價格，MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 128K PARALLEL 64LQFP
暫無價格
參考庫存:57731
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA
暫無價格
參考庫存:57739
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
暫無價格
參考庫存:57747
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
暫無價格
參考庫存:57757
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:57765
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