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BQ4014MB-120參考圖片

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BQ4014MB-120

  • Texas Instruments
  • 最新
  • IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
2Mb （256K x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
120ns
訪問時間
120ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
供應商器件封裝
32-DIP 模塊（18.42x52.96）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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參考庫存:27232
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