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存儲器
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MT40A2G4WE-075E:B TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR4
存儲容量
8Gb （2G x 4）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
1.33GHz
寫周期時間 - 字，頁
-
電壓 - 電源
1.14V ~ 1.26V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-TFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA（8x12）
商品其它信息
優勢價格，MT40A2G4WE-075E:B TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA
暫無價格
參考庫存:30053
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64TBGA
暫無價格
參考庫存:30061
存儲器
IC FLASH 4G SPI UPDFN
暫無價格
參考庫存:30069
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
暫無價格
參考庫存:30077
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
暫無價格
參考庫存:30085
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