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存儲器
NAND01GW3B2BZA6E參考圖片

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NAND01GW3B2BZA6E

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
1Gb（128M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
30ns
訪問時間
30ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
63-TFBGA
供應商器件封裝
63-VFBGA（9x11）
商品其它信息
優勢價格，NAND01GW3B2BZA6E的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8CSP
暫無價格
參考庫存:33685
存儲器
IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ
暫無價格
參考庫存:33693
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:33709
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
暫無價格
參考庫存:33717
存儲器
IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA
暫無價格
參考庫存:33733
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