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存儲器
BQ4011YMA-200參考圖片

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BQ4011YMA-200

  • Texas Instruments
  • 最新
  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
256Kb （32K x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
200ns
訪問時間
200ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
供應商器件封裝
28-DIP 模塊（18.42x37.72）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EPROM 1K 1WIRE 8SOIC
暫無價格
參考庫存:39372
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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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參考庫存:39420
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