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存儲器
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IS61NLP12836B-200B2LI-TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，SDR
存儲容量
4.5Mb （128K x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
3.135V ~ 3.465V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
119-BBGA
供應商器件封裝
119-PBGA（14x22）
商品其它信息
優勢價格，IS61NLP12836B-200B2LI-TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:30530
存儲器
IC FLASH 32MBIT 108MHZ 24BGA
暫無價格
參考庫存:30538
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 209FBGA
暫無價格
參考庫存:30546
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:30554
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:30570
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