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存儲(chǔ)器
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CY7C2670KV18-550BZI

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲(chǔ)器類型
易失
存儲(chǔ)器格式
SRAM
技術(shù)
SRAM - 同步,DDR II+
存儲(chǔ)容量
144Mb (4M x 36)
存儲(chǔ)器接口
并聯(lián)
時(shí)鐘頻率
550MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁
-
訪問時(shí)間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應(yīng)商器件封裝
165-FBGA(15x17)
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,CY7C2670KV18-550BZI的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
存儲(chǔ)器
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON
暫無價(jià)格
參考庫存:31698
存儲(chǔ)器
IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO
暫無價(jià)格
參考庫存:31706
存儲(chǔ)器
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
暫無價(jià)格
參考庫存:31714
存儲(chǔ)器
IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
暫無價(jià)格
參考庫存:31722
存儲(chǔ)器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:31738
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