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存儲器

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EM6HE08EW8D-10H

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3L
存儲容量
4Gb （512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
933MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.283V ~ 1.45V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-VFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA（9x10.5）
商品其它信息
優勢價格，EM6HE08EW8D-10H的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
暫無價格
參考庫存:27694
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
暫無價格
參考庫存:27702
存儲器
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON
暫無價格
參考庫存:27710
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:27718
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP
暫無價格
參考庫存:27726
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