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MR2A08AMYS35R

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
汽車級,AEC-Q100
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
RAM
技術(shù)
MRAM(磁阻式 RAM)
存儲容量
4Mb (512K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
35ns
訪問時間
35ns
電壓 - 電源
3V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
44-TSOP2
商品其它信息
優(yōu)勢價格,MR2A08AMYS35R的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ
暫無價格
參考庫存:31629
存儲器
IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ
暫無價格
參考庫存:31637
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:31645
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
暫無價格
參考庫存:31653
存儲器
IC DRAM 8G 933MHZ FBGA
暫無價格
參考庫存:31661
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