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CY62157GE30-45BVXI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
系列
MoBL?
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
8Mb （512K x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
45ns
訪問時間
45ns
電壓 - 電源
2.2V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-VFBGA
供應商器件封裝
48-VFBGA（6x8）
商品其它信息
優勢價格，CY62157GE30-45BVXI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:17419
存儲器
IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:17446
存儲器
IC NVSRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:5600
存儲器
IC EEPROM 64KB I2C SOT23-5
暫無價格
參考庫存:17964
存儲器
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP
暫無價格
參考庫存:13558
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