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存儲器
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B參考圖片

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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
512Gb （64G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA（12x18）
商品其它信息
優勢價格，MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 3MHZ SOT23-6
暫無價格
參考庫存:42668
存儲器
AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 16KBIT(
暫無價格
參考庫存:42676
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8KB SPI SER CMOS EEPROM
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IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:42700
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