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存儲器
CY14B104LA-ZS45XI參考圖片

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CY14B104LA-ZS45XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （512K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
45ns
訪問時間
45ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝
44-TSOP II
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
暫無價格
參考庫存:33884
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:33900
存儲器
4MB SPI FLASH
暫無價格
參考庫存:33908
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
暫無價格
參考庫存:33916
存儲器
IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
暫無價格
參考庫存:33924
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