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存儲器
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TC58NYG2S0HBAI6

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量
4Gb （512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應商器件封裝
67-VFBGA（6.5x8）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
暫無價格
參考庫存:54854
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC
暫無價格
參考庫存:54862
存儲器
IC SRAM 1.125M PARALLEL 272PBGA
暫無價格
參考庫存:54870
存儲器
IC SRAM 32K PARALLEL 52PLCC
暫無價格
參考庫存:54878
存儲器
IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:54886
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