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存儲器
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TC58BYG2S0HBAI4

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
Benand?
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量
4G（512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
63-VFBGA
供應商器件封裝
63-TFBGA（9x11）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8SOPJ
暫無價格
參考庫存:23679
存儲器
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暫無價格
參考庫存:23687
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參考庫存:23697
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 2MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:23705
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