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雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
EMB6T2R參考圖片

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EMB6T2R

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
晶體管類型
2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
30mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基底（R1）
47 千歐
電阻器 - 發射極基底（R2）
47 千歐
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
68 @ 5mA，5V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
300mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 躍遷
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝
EMT6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
暫無價格
參考庫存:47850
雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
暫無價格
參考庫存:47858
雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
暫無價格
參考庫存:47866
雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
暫無價格
參考庫存:223896
雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
暫無價格
參考庫存:47878
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