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雙極性晶體管(BJT)- 陣列
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UMT18NTR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
2 PNP(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
12V
不同Ib,Ic 時的Vce 飽和值(最大值)
250mV @ 10mA,200mA
電流 - 集電極截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同Ic,Vce時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
270 @ 10mA,2V
功率 - 最大值
150mW
頻率 - 躍遷
260MHz
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商器件封裝
UMT6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管(BJT)- 陣列
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
暫無價格
參考庫存:26938
雙極性晶體管(BJT)- 陣列
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6
暫無價格
參考庫存:26946
雙極性晶體管(BJT)- 陣列
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
暫無價格
參考庫存:17386
雙極性晶體管(BJT)- 陣列
TRANS 2NPN 8V 0.15A 6MCPH
暫無價格
參考庫存:17388
雙極性晶體管(BJT)- 陣列
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26
暫無價格
參考庫存:26962
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