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UGBT、MOSFET - 單
FGD3N60LSDTM-T參考圖片

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FGD3N60LSDTM-T

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
25A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.5V @ 10V，3A
功率 - 最大值
40W
開關能量
250μJ（開），1mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
12.5nC
25°C 時 Td（開/關）值
40ns/600ns
測試條件
480V，3A，470 歐姆，10V
反向恢復時間（trr）
234ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
暫無價格
參考庫存:35576
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 24A 160W TO220
暫無價格
參考庫存:35584
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO268
暫無價格
參考庫存:35600
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:35608
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:35616
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