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UGBT、MOSFET - 單

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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
HEXFRED?
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
14A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
18A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.8V @ 15V，8A
功率 - 最大值
38W
開關能量
310μJ（開），3.28mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
15nC
25°C 時 Td（開/關）值
76ns/815ns
測試條件
480V，8A，100 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
28ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
D-PAK（TO-252AA）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD
暫無價格
參考庫存:35842
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:35850
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
暫無價格
參考庫存:35858
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN
暫無價格
參考庫存:35882
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 24A 140W D2PAK
暫無價格
參考庫存:35890
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