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UGBT、MOSFET - 單
FGB30N6S2T參考圖片

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FGB30N6S2T

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 45A 167W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
45A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
108A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值
167W
開關能量
55μJ(開),110μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
23nC
25°C 時 Td(開/關)值
6ns/40ns
測試條件
390V,12A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
390V,12A,10 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 3000V 42A 357W TO268
暫無價格
參考庫存:5418
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 20A TO-247
暫無價格
參考庫存:40441
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 550A 2300W TO264
暫無價格
參考庫存:40449
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 50A TO247
暫無價格
參考庫存:6241
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
暫無價格
參考庫存:40459
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