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UGBT、MOSFET - 單
IGW03N120H2FKSA1參考圖片

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IGW03N120H2FKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
9.6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
9.9A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值
62.5W
開關能量
290μJ
輸入類型
標準
柵極電荷
22nC
25°C 時 Td（開/關）值
9.2ns/281ns
測試條件
800V，3A，82 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
800V，3A，82 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
PG-TO247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST
暫無價格
參考庫存:10217
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(
暫無價格
參考庫存:41185
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暫無價格
參考庫存:17282
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
暫無價格
參考庫存:6111
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 163W TO220
暫無價格
參考庫存:6718
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