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UGBT、MOSFET - 單
IXGQ50N60B4D1參考圖片

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IXGQ50N60B4D1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 600V 100A 300W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
230A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.8V @ 15V，36A
功率 - 最大值
300W
開關能量
930μJ（開），1mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
110nC
25°C 時 Td（開/關）值
37ns/330ns
測試條件
400V，36A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
25ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
暫無價格
參考庫存:31988
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
暫無價格
參考庫存:31996
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:32004
UGBT、MOSFET - 單
INDUSTRY 14
暫無價格
參考庫存:32012
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 78A 370W D2PAK
暫無價格
參考庫存:32020
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