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UGBT、MOSFET - 單
APT50GP60B2DQ2G參考圖片

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APT50GP60B2DQ2G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS 7?
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
190A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值
625W
開關能量
465μJ(開),635μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
165nC
25°C 時 Td(開/關)值
19ns/85ns
測試條件
400V,50A,4.3 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
400V,50A,4.3 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商器件封裝
TO-247-3 變式
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 25A TO247-3
暫無價格
參考庫存:8774
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 40A TO-247
暫無價格
參考庫存:8766
UGBT、MOSFET - 單
FS4TIGBT TO247 40A 650V
暫無價格
參考庫存:9933
UGBT、MOSFET - 單
1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT
暫無價格
參考庫存:9560
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 180W TO247
暫無價格
參考庫存:7972
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