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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S12N60A4DS參考圖片

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HGT1S12N60A4DS

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 54A 167W D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
54A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
96A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，12A
功率 - 最大值
167W
開關能量
55μJ（開），50μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
78nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/96ns
測試條件
390V，12A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
30ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
暫無價格
參考庫存:31260
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
暫無價格
參考庫存:31268
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 25A 80W D2PAK
暫無價格
參考庫存:31276
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
暫無價格
參考庫存:31284
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 6A 22W TO220F
暫無價格
參考庫存:31292
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