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UGBT、MOSFET - 單
HGTP3N60A4參考圖片

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HGTP3N60A4

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 17A 70W TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
17A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，3A
功率 - 最大值
70W
開關能量
37μJ（開），25μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
21nC
25°C 時 Td（開/關）值
6ns/73ns
測試條件
390V，3A，50 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
390V，3A，50 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
暫無價格
參考庫存:43852
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43860
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 170W TO247-3
暫無價格
參考庫存:43868
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43876
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT PT-HIFREQUENCY ISOPLUS
暫無價格
參考庫存:43900
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