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UGBT、MOSFET - 單

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DGTD65T50S1PT

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.4V @ 15V，50A
功率 - 最大值
375W
開關能量
770μJ（開），550μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
287nC
25°C 時 Td（開/關）值
58ns/328ns
測試條件
400V，50A，7.9 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
80ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT STD 600V 34A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:30660
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:30668
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 170W TO220-3
暫無價格
參考庫存:30676
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:30684
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO268
暫無價格
參考庫存:30692
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