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UGBT、MOSFET - 單
IXYK200N65B3參考圖片

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IXYK200N65B3

  • IXYS
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  • IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
410A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
1100A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.7V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1560W
開關能量
5mJ（開），4mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
340nC
25°C 時 Td（開/關）值
60ns/370ns
測試條件
400V，100A，0 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
108ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
暫無價格
參考庫存:36835
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 285W TO247
暫無價格
參考庫存:3497
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 220W TO263
暫無價格
參考庫存:36845
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
暫無價格
參考庫存:36853
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
暫無價格
參考庫存:5958
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