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UGBT、MOSFET - 單
FGL60N100BNTD參考圖片

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FGL60N100BNTD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1000V 60A 180W TO264
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1000V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值
180W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
275nC
25°C 時 Td（開/關）值
140ns/630ns
測試條件
600V，60A，51 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
1.2μs
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
暫無價格
參考庫存:34520
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
暫無價格
參考庫存:34528
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
暫無價格
參考庫存:34536
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
暫無價格
參考庫存:34552
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:34560
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