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UGBT、MOSFET - 單
RGTH80TK65GC11參考圖片

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RGTH80TK65GC11

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
31A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
66W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
79nC
25°C 時 Td（開/關）值
34ns/120ns
測試條件
400V，40A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，40A，10 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43876
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT PT-HIFREQUENCY ISOPLUS
暫無價格
參考庫存:43900
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 20A 125W DPAK
暫無價格
參考庫存:43908
UGBT、MOSFET - 單
IGBT FAST 600V 31A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:43916
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V ISOPLUS264
暫無價格
參考庫存:43932
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