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UGBT、MOSFET - 單
RGT30NS65DGTL參考圖片

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RGT30NS65DGTL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
45A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.1V @ 15V,15A
功率 - 最大值
133W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
32nC
25°C 時 Td(開/關)值
18ns/64ns
測試條件
400V,15A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
55ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
LPDS(TO-263S)
商品其它信息
優勢價格,RGT30NS65DGTL的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 167W TO220AB
暫無價格
參考庫存:11923
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 32A 140W TO220
暫無價格
參考庫存:8615
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
暫無價格
參考庫存:8587
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5
暫無價格
參考庫存:43095
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:10692
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