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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S10N120BNST參考圖片

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HGT1S10N120BNST

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
35A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值
298W
開關能量
320μJ(開),800μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
100nC
25°C 時 Td(開/關)值
23ns/165ns
測試條件
960V,10A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
960V,10A,10 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 380W TO247AD
暫無價格
參考庫存:27976
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
暫無價格
參考庫存:5898
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
暫無價格
參考庫存:39143
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
暫無價格
參考庫存:6675
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 490V 20A 150W D2PAK3
暫無價格
參考庫存:16000
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