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FET，MOSFET - 陣列

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BSM300D12P3E005

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
300A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 91mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
14000pF @ 10V
功率 - 最大值
1260W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8
暫無價格
參考庫存:48690
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
暫無價格
參考庫存:48698
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 8TDSON
暫無價格
參考庫存:48714
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
暫無價格
參考庫存:48722
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
暫無價格
參考庫存:48738
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