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FET，MOSFET - 陣列
BSM180D12P2C101參考圖片

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BSM180D12P2C101

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
204A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
23000pF @ 10V
功率 - 最大值
1130W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
-40°C ~ 150°C（TJ）
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N-CH 8SOIC
暫無價格
參考庫存:41204
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
暫無價格
參考庫存:41212
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
暫無價格
參考庫存:41220
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6
暫無價格
參考庫存:41228
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:72920
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