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FET，MOSFET - 陣列
SI1026X-T1-GE3參考圖片

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SI1026X-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 N-通道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
305mA
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
30pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝
SC-89-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:41646
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET DUAL N-CH 22VDS 12VGS 2A
暫無價格
參考庫存:41662
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:41670
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
暫無價格
參考庫存:41678
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
暫無價格
參考庫存:41686
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