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FET，MOSFET - 陣列
EPC2110ENGRT參考圖片

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EPC2110ENGRT

  • EPC
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  • GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N 溝道（雙）共源
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
120V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.4A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 4A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
0.8nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
INTEGRATED CIRCUIT
暫無價格
參考庫存:45531
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
暫無價格
參考庫存:45547
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F
暫無價格
參考庫存:45555
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
暫無價格
參考庫存:45563
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:45595
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