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FET，MOSFET - 射頻
BLA8G1011LS-300GU參考圖片

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BLA8G1011LS-300GU

  • Ampleon USA Inc.
  • 最新
  • RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.06GHz
增益
16.5dB
電壓 - 測試
32V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
150mA
功率 - 輸出
300W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
SOT-502E
供應商器件封裝
CDFM2
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
IC FET RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:35098
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H
暫無價格
參考庫存:35106
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 40V 870MHZ
暫無價格
參考庫存:35114
FET，MOSFET - 射頻
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
暫無價格
參考庫存:35122
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
暫無價格
參考庫存:35130
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