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參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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-
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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LDMOS(雙)
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頻率
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2.9GHz
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增益
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13.3dB
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電壓 - 測試
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30V
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額定電流(安培)
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-
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噪聲系數
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-
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電流 - 測試
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100mA
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功率 - 輸出
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320W
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電壓 - 額定
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65V
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封裝/外殼
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SOT-979A
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供應商器件封裝
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NI-1230-4H
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1
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暫無價格
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參考庫存:33858
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FET,MOSFET - 射頻
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RF MOSFET TRANSISTORS
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暫無價格
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參考庫存:33866
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FET,MOSFET - 射頻
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RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
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暫無價格
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參考庫存:33882
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FET,MOSFET - 射頻
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IC TRANS RF LDMOS
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暫無價格
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參考庫存:33890
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FET,MOSFET - 射頻
|
RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B
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暫無價格
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參考庫存:33898
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