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參數 | 參數值 |
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包裝
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托盤
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系列
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GaN
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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HEMT
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頻率
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8GHz
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增益
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16.7dB
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電壓 - 測試
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28V
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額定電流(安培)
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-
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噪聲系數
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-
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電流 - 測試
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200mA
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功率 - 輸出
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10W
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電壓 - 額定
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120V
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封裝/外殼
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440196
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供應商器件封裝
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440196
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
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暫無價格
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參考庫存:8274
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FET,MOSFET - 射頻
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IC AMP RF LDMOS
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暫無價格
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參考庫存:36068
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FET,MOSFET - 射頻
|
IC AMP RF LDMOS
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暫無價格
|
參考庫存:36084
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FET,MOSFET - 射頻
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10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P
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暫無價格
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參考庫存:36100
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FET,MOSFET - 射頻
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BLC9H10XS-500A/SOT1273/TRAYDP
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暫無價格
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參考庫存:8230
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