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FET，MOSFET - 單個
IPD60R650CEBTMA1參考圖片

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IPD60R650CEBTMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS? CE
零件狀態
Digi-Key 停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
650 毫歐 @ 2.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
82W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33885
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
暫無價格
參考庫存:33893
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:33901
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
暫無價格
參考庫存:33909
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
暫無價格
參考庫存:33917
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