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FET，MOSFET - 單個
SPB21N10 G參考圖片

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SPB21N10 G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
SIPMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
21A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
80 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 44μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
38.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
865pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
優勢價格，SPB21N10 G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
暫無價格
參考庫存:46687
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:46719
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:46735
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
暫無價格
參考庫存:46759
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
暫無價格
參考庫存:46767
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