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FET,MOSFET - 單個
IPB80N06S207ATMA1參考圖片

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IPB80N06S207ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
Digi-Key 停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6.3 毫歐 @ 68A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 180μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
110nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
250W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A
暫無價格
參考庫存:51246
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
暫無價格
參考庫存:7114
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
暫無價格
參考庫存:51264
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
暫無價格
參考庫存:51288
FET,MOSFET - 單個
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
暫無價格
參考庫存:51296
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