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FET,MOSFET - 單個
IPD64CN10N G參考圖片

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IPD64CN10N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
17A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
64 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
9nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
569pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
44W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優勢價格,IPD64CN10N G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:48574
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
暫無價格
參考庫存:14112
FET,MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:48592
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
暫無價格
參考庫存:48600
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
暫無價格
參考庫存:48608
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