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FET，MOSFET - 單個

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2N6849U

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
300 毫歐 @ 4.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
34.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
18-ULCC（9.14x7.49）
封裝/外殼
18-CLCC
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
暫無價格
參考庫存:27658
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:45471
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK
暫無價格
參考庫存:45487
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252
暫無價格
參考庫存:15202
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
暫無價格
參考庫存:45513
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