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FET,MOSFET - 單個
3LN01C-TB-H參考圖片

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3LN01C-TB-H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
150mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.7 歐姆 @ 80mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
1.58nC @ 10V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
7pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
3-CP
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
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參考庫存:317382
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參考庫存:24904
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