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FET，MOSFET - 單個

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SI8416DB-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
8V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
23 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
26nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1470pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.77W（Ta），13W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-microfoot
封裝/外殼
6-UFBGA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
暫無價格
參考庫存:43725
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:43765
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43773
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:43781
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:43789
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