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FET，MOSFET - 單個
SIR838DP-T1-GE3參考圖片

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SIR838DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
33 毫歐 @ 8.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2075pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.4W（Ta），96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 150A TO-247
暫無價格
參考庫存:10544
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
暫無價格
參考庫存:11926
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
暫無價格
參考庫存:40222
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
暫無價格
參考庫存:10535
FET，MOSFET - 單個
IXTA50N25T TRL
暫無價格
參考庫存:40240
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