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FET，MOSFET - 單個
IRLD110參考圖片

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IRLD110

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
540 毫歐 @ 600mA，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.1nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
暫無價格
參考庫存:49733
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
暫無價格
參考庫存:49741
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
暫無價格
參考庫存:49749
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
暫無價格
參考庫存:49757
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V SOT223-4
暫無價格
參考庫存:49775
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