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FET，MOSFET - 單個

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IXTM50N20

  • IXYS
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  • POWER MOSFET TO-3
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GigaMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
45 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
220nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4600pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-204AE
封裝/外殼
TO-204AE
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
暫無價格
參考庫存:51619
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:51669
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V DPAK
暫無價格
參考庫存:51677
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:83978
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
暫無價格
參考庫存:51853
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