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FET,MOSFET - 單個

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IPT026N10N5ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?5
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
27A(Ta),202A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
2.6毫歐 @ 150A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 158μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
120nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
8800pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
214W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-HSOF-8-1
封裝/外殼
8-PowerSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
暫無價格
參考庫存:3762
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL 650 V, 0.035 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:2019
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:2011
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
暫無價格
參考庫存:401568
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
暫無價格
參考庫存:3860
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