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FET，MOSFET - 單個
IXFE180N10參考圖片

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IXFE180N10

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
176A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
360nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
9100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
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4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE
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參考庫存:16758
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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參考庫存:16766
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