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FET，MOSFET - 單個

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TP65H035G4WS

  • Transphorm
  • 最新
  • 650 V 46.5 GAN FET
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
46.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
41 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.8V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
22nC @ 0V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
暫無價格
參考庫存:31055
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
暫無價格
參考庫存:31063
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
暫無價格
參考庫存:31071
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:31079
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:31087
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